地线引起打静电测试不通过

liangxianhua

方案：
  LD5555EGL、LD8526GL、LD6612KGQMW   65W快充
问题：
   客户打静电接触8KV\空气15KV，样机的PWM部份出现炸机情况，高压MOS、LD5555EGL等元件损坏。
分析：
   检查客户提供样机PMW部份布线和样机走线，发现LD5555EGL的地线走法是直接到输入大电容的地线上，与VCC电容是并行方式，如示意图1。
整改方法：
  修改LD5555EGL的地线不要直接接到大电容，IC的地需要先连接到VCC电容地后再连接到大电容地线上，静电测试可以通过。
原因：
   如果IC的地直接连接到大面积的“大电容地”或“电源地”，会出现“地弹噪音”，当ESD发生或电源瞬间大电流变化时，如果IC的参考地直接与大电容地相连，大电容充放电时的瞬态大电流会在引线电感上产生电压尖峰。这会导致IC的“地”电位瞬间抬高（相对于真正的0V），即“地弹”。这会让IC“误以为”输入信号变成了负电压，从而导致复位、死机甚至闩锁效应。